2SA1201

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1201 SOT-89-3L TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES z High voltage z High transition frequency Complementary to 2SC2881 z 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ MMST2907A (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ PXT2907A (YJ)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ MMBT2907A (SHIKUES)
 
SOT-23-3 1500 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1201 SOT-89-3L TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES z High voltage z High transition frequency Complementary to 2SC2881 z 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -0.8 A PC Collector Power Dissipation 0.5 W -55~150 ℃ 250 ℃ TJ,Tstg R θJA Operation Junction and Storage Temperature Range Thermal Resistance from Junction to Ambient ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Symbol Test conditions = V(BR)CBO IC=-1mA,IE 0 = IC=-10mA,IB 0 V (BR)CEO = V(BR)EBO IE=-1mA,IC 0 Min Typ Unit -120 V -120 V -5 V = ICBO VCB=-120V,IE 0 = IEBO VEB=-5V,IC 0 h= VCE=-5V,IC -100mA FE Max 80 -0.1 μA -0.1 μA 240 VCE(sat) = IC=-500mA,IB -50mA -1 V Base-emitter voltage = VBE VCE=-5V,IC -500mA -1 V Transition frequency = fT VCE=-5V,IC -100mA Collector output capacitance = VCB=-10V,IE 0,f 1MHz Cob = Collector-emitter saturation voltage 120 MHz 30 pF CLASSIFICATION OF hFE Rank Range Marking www.jscj-elec.com O Y 80-160 120-240 DO DY 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 2SA1201 

Microsoft Word - 2SA1201_SOT-89_.doc

Дата модификации: 18.05.2020

Размер: 581 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)