2N7002KL
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETs
2N7002KL
N-channel MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
SOT-23
3.5Ω@10V
60 V
3
340mA
4Ω@4.5V
1. GATE
2. SOURCE
1
2
3. DRAIN
FEATURE
z
High density cell design for Low RDS(on)
z
Voltage controlled small signal switch
z
Rugged and reliable
z
High saturation current capability
z
ESD protected
APPLI...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-23-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-23-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на 2N7002KL
Microsoft Word - 2N7002K_SOT-23_
Дата модификации: 28.06.2020
Размер: 757.4 Кб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.