2N7002KDW SOT-363
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETS
2N7002KDW
N-channel MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
SOT-363
2.5Ω@10V
6
340mA
3Ω@4.5V
60 V
5
4
1
2
3
FEATURE
APPLICATION
High density cell design for Low RDS（on）
Voltage controlled small signal switch
Rugged and reliable
High saturation current capability
ESD protected
z
z
z
z
z
z
Load Swi...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-323-6 SOT-363
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-323-6 SOT-363 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на 2N7002KDW
Microsoft Word - 2N7002K_SOT-23_
Дата модификации: 13.01.2022
Размер: 2.03 Мб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.