JMTQ3006B
JMTQ3006B
Description
JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Applications
Features
30V, 40A
RDS(ON) < 6.1mΩ @ VGS = 10V
Load Switch
PWM Application
Power Management
RDS(ON) < 9.6mΩ @ VGS = 4.5V
Advanced Trench Technology
100% UIS TESTED!
100% ΔVds TESTED!
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Lead Free
D
G
S
Marking and Pin Assignment
PDFN3x3-8L
Schemati...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L3X3
- Норма упаковки: 5000 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L3X3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 22
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMTQ3005A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMTQ040N03A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJAC80N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC40N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB75N03U (JSCJ) | — | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB65N04 (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB55N03S (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMQ040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 1 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | CJAB50N03 (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | YJG50N03A (YJ) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | YJD80N03B (YJ) | TO252 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | ||
| A+ | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| A+ | YJQ60N03A (YJ) | DFN30308 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJQ50N03B (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | BSC034N03LSG (EVVO) | — | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.