Вход / Регистрация

JMTQ100P03A

JIEJIE
JMTQ100P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS = -30V, ID = -40A RDS(ON) < 9.4mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 15.1mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free PDFN3x3-8L 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Sche...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L3X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMQ42P03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- NCE30P20Q (NCE)
 
DFN83X3 в ленте 105 шт
 
 ± — — — —
P- CJAC50P03S (JSCJ)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTQ100P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS = -30V, ID = -40A RDS(ON) < 9.4mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 15.1mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free PDFN3x3-8L 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package Reel Size Reel (pcs) Per Carton (pcs) Q100P03A JMTQ100P03A TAPING PDFN3x3-8L 13” 5000 50000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V TC = 25℃ -40 A TC = 100℃ -26 A -160 A 132 mJ 24 W 5.2 ℃/W -55 to +150 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current EAS Single Pulsed Avalanche Energy PD Power Dissipation RθJC TJ, TSTG note1 note2 TC = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Case Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics Co.,Ltd. Version :1.6 -1- PDF
Документация на JMTQ100P03A 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 21.09.2022

Размер: 573.9 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    05 июня 2024
    новость

    Продукция JIEJIE для устройств быстрой зарядки

    Зарядные устройства (ЗУ) выходной мощностью 18…100 Вт (а также 120 Вт и выше) с одним или несколькими выходами USB Type–A и Type–C, имеющие поддержку протоколов быстрой зарядки (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083–2022,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)