JMTQ100P03A
JMTQ100P03A
Description
JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Features
Application
VDS = -30V, ID = -40A
RDS(ON) < 9.4mΩ @ VGS = -10V
RDS(ON) < 15.1mΩ @ VGS = -4.5V
PWM Applications
Load Switch
Power Management
Advanced Trench Technology
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Lead Free
PDFN3x3-8L
100% UIS TESTED!
100% ΔVds TESTED!
Marking and pin Assignment
Sche...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L3X3
- Норма упаковки: 5000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFN8L3X3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMTQ100P03A
Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:
Дата модификации: 21.09.2022
Размер: 573.9 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.