JMTP9926B

JIEJIE
JMTP9926B Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 6A   RDS(ON) < 27mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 2.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free   Load Switch PWM Application  Power Management  100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! D1 G1 D2 G2 S1 SOP-8 (Dual) S2 30 Marking a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ9926 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
P- YJS3404A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
P- WM02DN48A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт — — — — — —
P- NCE9926 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- IRF7301TR (YOUTAI)
 

IRF7301TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 50 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTP9926B Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 6A   RDS(ON) < 27mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 2.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free   Load Switch PWM Application  Power Management  100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! D1 G1 D2 G2 S1 SOP-8 (Dual) S2 30 Marking and Pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package Reel Size Reel(pcs) Per Carton (pcs) 9926B JMTP9926B TAPING SOP-8 13" 4000 48000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Parameter VDS VGS ID IDM EAS PD RθJA TJ, TSTG Value Units Drain-to-Source Voltage 20 V Gate-to-Source Voltage ±12 V Continuous Drain Current TA = 25°C 6 TA = 100°C 4 Pulsed Drain Current (1) Single Pulsed Avalanche Energy Power Dissipation (2) TA = 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient (3) Junction & Storage Temperature Range JieJie Microelectronics Co., Ltd 1 A 24 A 7.5 mJ 1.7 W 75 °C/W -55 to 150 °C Version：1.1 PDF
Документация на JMTP9926B 

Дата модификации: 06.09.2023

Размер: 1008.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)