JMH65R980AFFD
JMH65R980AFFD
650V SuperJunction Power MOSFET
Features
Product Summary
Extremely Low Gate Charge
Parameter
Value
Unit
•
Excellent Output Capacitance (Coss) Profile
VDS
650
V
•
Fast Switching Capability
VGS(th)_Typ
3.5
V
•
Fast Recovery
4.0
A
•
100% UIS Tested, 100% Rg Tested
ID (@ VGS = 10V) (1)
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)
895
m
•
Pb-free Lead Plating
Eoss@400V
0.68
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: —
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMH65R980AFFD
JMH65R980AFFD_Rev1.0.xlsx
Дата модификации: 04.05.2022
Размер: 316.1 Кб
5 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.