JMH65R190APLN
JMH65R190APLN
650V SuperJunction Power MOSFET
Features
Product Summary
Parameter
Value
Unit
VDS
650
V
VGS(th)_Typ
3.5
V
17.4
A
• 100% UIS Tested, 100% Rg Tested
ID (@ VGS = 10V) (1)
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)
169
m
• Pb-free Lead Plating
Eoss@400V
5.2
J
• Extremely Low Gate Charge
• Excellent Output Capacitance (Coss) Profile
• Fast Switching Capability
• Halogen-free and...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: —
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMH65R190APLN
JMH65R190APLN_Rev1.0.xlsx
Дата модификации: 05.06.2022
Размер: 358 Кб
6 стр.
Публикации 2
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.