JMH65R190AF
JMH65R190AF
650V SuperJunction Power MOSFET
Features
Product Summary
Parameter
Value
Unit
VDS
650
V
VGS(th)_Typ
3.5
V
20
A
• 100% UIS Tested, 100% Rg Tested
ID (@ VGS = 10V) (1)
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)
170
m
• Pb-free Lead Plating
Eoss@400V
5.2
J
• Extremely Low Gate Charge
• Excellent Output Capacitance (Coss) Profile
• Fast Switching Capability
• Halogen-free and RoH...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: —
Аналоги 3
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P- | WMK28N60C4 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ||
P- | WML28N60F2 (WAYON) | TO220F | |||
P- | WML26N65SR (WAYON) | TO220F | в линейках 50 шт |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMH65R190AF
JMH65R190AF_Rev1.1.xlsx
Дата модификации: 19.07.2022
Размер: 347.4 Кб
6 стр.
Публикации 2
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.