JEU12N3
JIEJIE MICROELECTRONICS CO. , Ltd
JEU12N3 TVS Diode array for ESD Protection
Rev.1.2
FEATURES
4500 Watts peak pulse power (tP=8/20µs)
Low leakage current
Low clamping voltage
Solid-state silicon-avalanche technology
RoHS compliant
DFN2x2-3L
MAIN APPLICATIONS
Pin1 and 2
Pin3
Power lines
Personal digital assistants (PDA's)
Microprocessors based equipment
Notebooks,...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Защитные диоды
- Корпус: DFN2x2-3L
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | DFN2x2-3L | |
---|---|---|
Пиковая рассеиваемая мощность | ||
Напряжение ограничения (номинальное) | ||
Напряжение ограничения (диапазон) | ||
Ток утечки при рабочем напряжении | ||
Паразитная емкость перехода |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JEU12N3
Microsoft Word - 16-3)JEU12N3规格书(第1.2版).docx
Дата модификации: 22.10.2021
Размер: 229.1 Кб
7 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.