JEU12N3

JIEJIE MICROELECTRONICS CO. , Ltd JEU12N3 TVS Diode array for ESD Protection Rev.1.2 FEATURES      4500 Watts peak pulse power (tP=8/20µs) Low leakage current Low clamping voltage Solid-state silicon-avalanche technology RoHS compliant DFN2x2-3L MAIN APPLICATIONS        Pin1 and 2 Pin3 Power lines Personal digital assistants (PDA's) Microprocessors based equipment Notebooks,...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN2x2-3L
Пиковая рассеиваемая мощность
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Ток утечки при рабочем напряжении
Паразитная емкость перехода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
05 июня 2024
новость

Продукция JIEJIE для устройств быстрой зарядки

Зарядные устройства (ЗУ) выходной мощностью 18…100 Вт (а также 120 Вт и выше) с одним или несколькими выходами USB Type–A и Type–C, имеющие поддержку протоколов быстрой зарядки (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083–2022,... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.