JEU12N3

JIEJIE
JIEJIE MICROELECTRONICS CO. , Ltd JEU12N3 TVS Diode array for ESD Protection Rev.1.2 FEATURES      4500 Watts peak pulse power (tP=8/20µs) Low leakage current Low clamping voltage Solid-state silicon-avalanche technology RoHS compliant DFN2x2-3L MAIN APPLICATIONS        Pin1 and 2 Pin3 Power lines Personal digital assistants (PDA's) Microprocessors based equipment Notebooks,...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN2x2-3L
Пиковая рассеиваемая мощность
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Ток утечки при рабочем напряжении
Паразитная емкость перехода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIEJIE MICROELECTRONICS CO. , Ltd JEU12N3 TVS Diode array for ESD Protection Rev.1.2 FEATURES      4500 Watts peak pulse power (tP=8/20µs) Low leakage current Low clamping voltage Solid-state silicon-avalanche technology RoHS compliant DFN2x2-3L MAIN APPLICATIONS        Pin1 and 2 Pin3 Power lines Personal digital assistants (PDA's) Microprocessors based equipment Notebooks, desktops, and servers Cell phone handsets and accessories Portable electronics Peripherals Circuit Diagram PROTECTION SOLUTION TO MEET  IEC61000-4-2 (ESD) ±30kV (air), ±30kV (contact)  IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)  IEC61000-4-5 (Lightning) 180A (8/20µs) Pin Configuration MECHANICAL CHARACTERISTICS      DFN2x2-3L package Molding compound flammability rating: UL 94V-0 Quantity per reel: 3,000pcs Lead finish: lead free Marking code: T12 TEL：+86-513-83639777 - 1 / 7- http://www.jjwdz.com PDF
Документация на JEU12N3 

Microsoft Word - 16-3）JEU12N3规格书（第1.2版）.docx

Дата модификации: 22.10.2021

Размер: 229.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)