JEB12C
JIEJIE MICROELECTRONICS CO. , Ltd
JEB12C Low Capacitance TVS Diode Array
Rev.1.4
FEATURES
350 watts peak pulse power per line (tP=8/20µs)
Protects one bi-directional I/O line
Low clamping voltage
Working voltage:12V
Low leakage current
RoHS compliant
SOD-323
MAIN APPLICATIONS
Cell phone handsets and accessories
Microprocessor based equipment
Personal digital assi...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Защитные диоды
- Корпус: SOD323
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOD323 | |
---|---|---|
Пиковая рассеиваемая мощность | ||
Напряжение ограничения (диапазон) | ||
Ток утечки при рабочем напряжении | ||
Паразитная емкость перехода |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JEB12C
Microsoft Word - 1-4)JEB12C规格书(第1.4版).docx
Дата модификации: 29.06.2020
Размер: 303 Кб
6 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.