G5S12030PP

GPT
Диод выпрямительный 2 на напряжение до 1200 В, ток до 30 А, с падением напряжения 1.7 В, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G1S33002P
Внешний вид G5S12030PP
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO247AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Datasheet V2020.A.0 G5S12030PP 1200V/30A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Key Characteristics Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation VRRM IF, Tc≤157℃ QC 1200 V 30 A 159 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G5S12030PP TO-247AC G5S12030PP G5S12030PP ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G5S12030PP 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 14.09.2020

Размер: 449.6 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)