Вход / Регистрация

G5S12020H

GPT
Диод выпрямительный 1 на напряжение до 1200 В, ток до 20 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 1320 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G5S12020H

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
Datasheet V2020.A.0 G5S12020H 1200V/20A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Key Characteristics Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation VRRM IF, Tc≤67℃ QC 1200 V 20 A 104 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G5S12020H TO-220F G5S12020H G5S12020H ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G5S12020H 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 14.09.2020

Размер: 552.2 Кб

5 стр.

Datasheet V2020.A.0 G5S12020H 1200V/20A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Key Characteristics Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation VRRM IF, Tc≤67℃ QC 1200 V 20 A 104 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G5S12020H TO-220F G5S12020H G5S12020H ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G5S12020H 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 24.07.2020

Размер: 524.3 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    19 августа 2024
    статья

    LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

    Игорь Елисеев (г. Химки) Светодиодные драйверы для промышленных решений должны обладать определенным наборов характеристик, например, иметь высокий класс защиты от внешних воздействующих факторов, хорошую устойчивость к импульсным помехам и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)