Вход / Регистрация

G5S12015PM

GPT
Диод выпрямительный 1 на напряжение до 1200 В, ток до 15 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 1370 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G3S06520P

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO247AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC015120NP4 (WAYON)
 
— 30 шт
 
 — — — — — — — — — — —
A- G5S12020PM (GPT)
 
TO247AC в линейках 100 шт
 
 — — —

Файлы 2

показать свернуть
G5S12015PM Silicon Carbide Schottky Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior VRRM 1200V IF (TC = 150.5°C) 15A Qc 80nC • High temperature operation • High frequency operation Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices TO-247AC Inner Circuit • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, PFC • Solar application, UPS, EV/HEV • Motor drives, Wind turbine, Rail traction www.globalpowertech.cn ©2022 Global Power Technology Co., Ltd. All Rights Reserved G = GPT 5 = Gen5 S = SiC Schottky Diode 120 = Voltage Rating 1200V 15 = Current Rating 15A PM = TO-247AC DDDDDD = Traceable Code Rev. B.2 2022 Page 1 of 7 PDF
Документация на G5S12015PM 

Дата модификации: 08.05.2022

Размер: 647.1 Кб

7 стр.

Datasheet V2020.A.0 G5S12015PM 1200V/15A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM 1200 V IF, Tc≤157℃ 15 A QC 84 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G5S12015PM TO-247AC G5S12015PM G5S12015PM ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G5S12015PM 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 11.12.2020

Размер: 597.1 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    19 августа 2024
    статья

    LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

    Игорь Елисеев (г. Химки) Светодиодные драйверы для промышленных решений должны обладать определенным наборов характеристик, например, иметь высокий класс защиты от внешних воздействующих факторов, хорошую устойчивость к импульсным помехам и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)