G4S06515AT

GPT
Диод выпрямительный 1 на напряжение до 650 В, ток до 15 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 645 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G4S06515AT

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC010065NNI (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — —
P= G3S06510A (GPT)
 
TO220AC в линейках 500 шт — — —
P= WSRSIC006065NPC (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —
P= G4S06508AT (GPT)
 
TO220AC в линейках 200 шт — — —
P= WSRSIC008065NNI (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — —

Файлы 2

показать свернуть
Datasheet V2020.A.0 G4S06515AT 650V/ 15A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Key Characteristics Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation VRRM 650 V IF, Tc≤143℃ 15 A QC 31 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G4S06515AT TO-220AC G4S06515AT G4S06515AT ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G4S06515AT 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 14.09.2020

Размер: 554.5 Кб

5 стр.

Datasheet V2020.A.0 G4S06515AT 650V/ 15A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Key Characteristics Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation VRRM 650 V IF, Tc≤143℃ 15 A QC 31 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G4S06515AT TO-220AC G4S06515AT G4S06515AT ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G4S06515AT 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 24.07.2020

Размер: 526.6 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    21 сентября 2023
    новость

    Зарядная станция мощностью 3…10 кВт для электромобилей

    С ростом популярности электромобилей возникает потребность в надежной, удобной и эффективной инфраструктуре для их подзарядки. Электрические зарядные устройства (ЗУ) по мощности делятся на четыре уровня (I – 3 кВт, II – 10 кВт, III – 50…75 кВт, IV... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)