Вход / Регистрация

G3S12020A

GPT
Диод выпрямительный 1 на напряжение до 1200 В, ток до 20 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 2600 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G3S12020A

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- G5S12020A (GPT)
 
TO220AC в линейках 100 шт — — —

Файлы 2

показать свернуть
Datasheet V2020.A.1 G3S12020A 1200V/20A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM 1200 V 20 A 161 nC IF, Tc≤154.5℃ QC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G3S12020A TO-220AC G3S12020A G3S12020A ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G3S12020A 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 14.09.2020

Размер: 668.6 Кб

5 стр.

Datasheet V2019.1.0 G3S12020A 1200V/20A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Rated to 1200V at 15 Amps • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behaviour • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM IF, Tc≤155℃ QC 1200 V 20 A 161 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. G3S12020A G3S12020A Package Type TO-220AC Marking G3S12020A ©2019 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G3S12020A 

1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 27.11.2019

Размер: 680 Кб

5 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    19 ноября 2024
    новость

    Как выбрать идеальный силовой модуль: решения SUNCO для силовой электроники (материалы вебинара)

    3 декабря состоялся вебинар, посвященный силовым модулям ведущего китайского производителя SUNCO. Эта компания на рынке – уже более 20 лет и по праву является одним из мировых лидеров по производству дискретных полупроводниковых компонентов. На... ...читать

    22 декабря 2023
    новость

    SMD-термисторы Joinset для широкого спектра применений

    С 2002 года компания Joinset производит множество типов NTC/PTC–термисторов, предназначенных для промышленных приложений, автомобилестроения, медицины и бытовой техники. Вся продукция соответствует экологической политике ЕС RoHS и не... ...читать

    25 ноября 2022
    новость

    Хорошие перспективы: новые SiC-полупроводники GPT

    Полупроводники на основе карбида кремния (SiC) имеют огромные перспективы в области силовой электроники. В Китае карбид–кремниевая промышленность – одно из направлений национального плана развития науки и техники, относящееся к национальной... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)