Вход / Регистрация

G3S06510P

GPT
Диод выпрямительный 1 на напряжение до 650 В, ток до 10 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 690 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G1S33002P
Внешний вид G3S06510P
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO247AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
G3S06510P Silicon Carbide Schottky Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior VRRM 650V IF (TC = 152°C) 10A Qc 32nC • High temperature operation • High frequency operation Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices TO-247AC Inner Circuit • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, PFC • Solar application, UPS, EV/HEV • Motor drives, Wind turbine, Rail traction www.globalpowertech.cn ©2022 Global Power Technology Co., Ltd. All Rights Reserved G = GPT 3 = Gen3 S = SiC Schottky Diode 065 = Voltage Rating 650V 10 = Current Rating 10A P = TO-247AC DDDDDD = Traceable Code Rev. B.0 2022 Page 1 of 7 PDF
Документация на G3S06510P 

Дата модификации: 08.05.2022

Размер: 650.3 Кб

7 стр.

Datasheet V2020.A.1 G3S06510P 650V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM 650 V IF, Tc≤154℃ 10 A QC 36 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G3S06510P TO-247AC G3S06510P G3S06510P ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G3S06510P 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 14.09.2020

Размер: 1.05 Мб

5 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    19 ноября 2024
    новость

    Как выбрать идеальный силовой модуль: решения SUNCO для силовой электроники (материалы вебинара)

    3 декабря состоялся вебинар, посвященный силовым модулям ведущего китайского производителя SUNCO. Эта компания на рынке – уже более 20 лет и по праву является одним из мировых лидеров по производству дискретных полупроводниковых компонентов. На... ...читать

    22 декабря 2023
    новость

    SMD-термисторы Joinset для широкого спектра применений

    С 2002 года компания Joinset производит множество типов NTC/PTC–термисторов, предназначенных для промышленных приложений, автомобилестроения, медицины и бытовой техники. Вся продукция соответствует экологической политике ЕС RoHS и не... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)