S1D

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 15 пФ, производства DC Components (DC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 34

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= ES3DCG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= MURS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
P= ES3D-C (ANBON)
 
DO214AB
 
P= ES3D (YJ)
 

ES3D (DIODES)
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
P= EFMC304 (LRC)
 
DO-214AB SMC
 
P= S1A (DC)
 

S1A (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [DO-214AA]
P= EFMB204 (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= MURS120-B (ANBON)
 
DO214AA
 
P= EFMB340 (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= US1DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= S1B (DC)
 

S1B (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [DO-214AA]
P= S1DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= FM403 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
A- US1D (DC)
 

US1D (DIODES)
DO214AC в ленте 1800 шт
A- MURS120 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- MURS220A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- HS1D (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- US1D (YJ)
 

US1D (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM)
A- ES2DA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon
A- ES1D (YJ)
 

ES1D (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- UG2DA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- ES1D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- ES1D (DC)
 

ES1D (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- UG1D (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
A- ES2D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- MURS120 (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- SS120AQ (YJ)
 
60 шт
 
Surface Mount Schottky Rectifier
A- SS120A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- GS2DA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
A- M3 (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
A- GS1D (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- HS2DA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM)
A- ES2DAQ (YJ)
 
DO214AC Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
A- SS220A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
S1A THRU S1M DC COMPONENTS CO., LTD. R RECTIFIER SPECIALISTS TECHNICAL SPECIFICATIONS OF GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 1.0 Ampere FEATURES * * * * * Ideal for surface mounted applications Glass passivated junction Low leakage current Low forward voltage drop High surge capability SMB(DO-214AA) MECHANICAL DATA .083(2.1) .075(1.9) * Case: Molded plastic * Epoxy: UL 94-V0 rate flame retardant * Terminals: Solder plated solderable per MIL-STD-750, Method 2026 * Polarity: As marked * Mounting position: Any * Weight: 0.093 gram .155(3.9) .130(3.3) .185(4.7) .161(4.1) .012(0.3) .004(0.1) .096(2.4) .084(2.1) .060(1.5) .030(0.8) .008(0.2) .004(0.1) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS o .220(5.6) .197(5.0) Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage o Dimensions in inches and (millimeters) SYMBOL S1A S1B S1D S1G S1J S1K S1M UNITS VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 Volts VRMS 35 70 140 280 420 560 700 Volts VDC 50 100 200 400 600 800 1000 Volts Maximum Average Forward Rectified Current at TA = 75 C IO 1.0 Amps Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) IFSM 30 Amps VF 1.1 Volts Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage o @TJ = 25 C o @TJ = 125 C 5.0 IR 50 Typical Junction Capacitance (Note 1) CJ 15 Typical Thermal Resistance (Note 2) RθJL 25 TJ,TSTG -55 to +150 Operating and Storage Temperature Range μAmps pF o C/W o C Note 1 :Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts. Note 2 :Typical thermal resistsnce from junction to lead. REV-4,OCT,2020 1 www.dccomponents.com PDF
Документация на S1D 

S1A~S1M

Дата модификации: 14.11.2023

Размер: 412.5 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.