BC846B

Биполярный транзистор - [SOT-23-3]
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC846B (YJ)
 

BC846B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC846A (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC846BQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
P= BC846B (YOUTAI)
 

BC846B (DIODES)
10 шт
 
P= BC846B (JSCJ)
 

BC846B (DIODES)
 
P= BC846A (SHIKUES)
 
SOT-23-3 1 шт
 
P= BC847B (SHIKUES)
 

BC847B (DIODES)
SOT-23-3
 
P= BC846A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC846B (SHIKUES)
 

BC846B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC846 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847B (DC)
 

BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC846AQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
P= BC846B (TSC)
 

BC846B (DIODES)
TO236
 
P= BC847B (JSCJ)
 

BC847B (DIODES)
 
P= BC847B (YJ)
 

BC847B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847C (YJ)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847C (DC)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847C (YOUTAI)
 

BC847C (DIODES)
в ленте 500 шт
 
P= BC847C (JSCJ)
 

BC847C (DIODES)
3000 шт
 
P= LBC847BLT1G (LRC)
 
1 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847A (JSCJ)
 

BC847A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= S9014 SOT-23 (JSCJ)
 
 
P= BC847BQ (YJ)
 
 
P= BC847CQ (YJ)
 
в ленте 5 шт
 
P= BC847C (SHIKUES)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.