CS540A8

Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS540 A8 General Description: VDSS 100 V ID 33 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar PD(T C=25℃) 150 W Technology which reduce the conduction loss, improve RDS(ON)Typ 30 mΩ CS540 A8, the silicon N-channel Enhanced switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switchin...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 35

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJP70SN10 (JSCJ)
 
TO2203L
 
±
P= WMK25N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= NCE0157 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
P= WMK099N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
P= YJP70G10A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
P= NCE0130A (NCE)
 
TO-220-3
 
±
P- WMK175N10HG4 (WAYON)
 
в линейках 50 шт
 
P- WMK175N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMK175N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- NCE0157A2 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
P- JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
P- IRF540N (YOUTAI)
 

IRF540N (IR)
TO220AB в линейках 1000 шт
 
P- WMK175N10LG4 (WAYON)
 
 
P- YJP45G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ NCE0130GA (NCE)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 
±
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт
A+ YJQ40G10A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ YJD45G10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ YJG40G10A (YJ)
 
10 шт
 
A+ YJD65G10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ YJD45G10AQ (YJ)
 
A+ CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ NCEP11N10AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ IRFR4510TR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ JMTC170N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ JMSH1010AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJG60G10B (YJ)
 
 
A+ IRF3710 (YOUTAI)
 

IRF3710 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMQ119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB175N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WML099N10HGS (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMP119N10LG2 (WAYON)
 
TO251
 

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS540 A8 General Description: VDSS 100 V ID 33 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar PD(T C=25℃) 150 W Technology which reduce the conduction loss, improve RDS(ON)Typ 30 mΩ CS540 A8, the silicon N-channel Enhanced switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard. Features: l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤44 mΩ) l Low Gate Charge (Typical Data:37nC) l Low Reverse transfer capacitances(Typical:10pF) l 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications: Automotive、DC Motor Control and Class D Amplifier. Absolute(Tc= 25℃ unless otherwise specified): Symbol Parameter VDSS ID IDM a1 VGS a2 EAS EAR IAR a1 a1 dv/dt a3 PD Rating Units Drain-to-Source Voltage 100 V Continuous Drain Current 33 A Continuous Drain Current T C = 100 °C 27 A Pulsed Drain Current 132 A Gate-to-Source Voltage ±20 V Single Pulse Avalanche Energy 750 mJ Avalanche Energy ,Repetitive 60 mJ Avalanche Current 3.5 A Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns Power Dissipation 150 W Derating Factor above 25°C 1.0 W/℃ 175,–55 to 175 ℃ 300 ℃ TJ,T stg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Page 1 of 10 2 0 1 5 V0 1 PDF
Документация на CS540A8 

3DG3001 A1

Дата модификации: 29.09.2015

Размер: 1.06 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.