CS240N06A8

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS240N06 A8 General Description： CS240N06 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by advanced Trench Technology VDSS 60 V ID （ Silicon limited current） 240 A ID （ Package limited current） 120 A 297.6 W 2.5 mΩ PD(TC=25℃) which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ performance and enhance the a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0601ATL-13 (JIEJIE)
 
PGHSOF8 в ленте 2000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ CRSP027N10NZ (CRMICRO)
 
TO-247-3 2000 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS240N06 A8 General Description： CS240N06 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by advanced Trench Technology VDSS 60 V ID （ Silicon limited current） 240 A ID （ Package limited current） 120 A 297.6 W 2.5 mΩ PD(TC=25℃) which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance l Low Gate Charge l Low Reverse transfer capacitances(Typical:504pF) l 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（TJ= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage Rating Units 60 V 240 A a1 120 A a1 Continuous Drain Current T C = 100 °C（ Package limited ） 120 A Pulsed Drain Current T C = 25 °C 480 A Gate-to-Source Voltage ±20 V Single Pulse Avalanche Energy 1089 mJ Power Dissipation T C = 25 °C 297.6 W 2.38 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ 300 ℃ Continuous Drain Current T C = 25 °C （ Silicon limited ） Continuous Drain Current T C = 25 °C （ Package limited ） ID IDM a1 VGS EAS a2 PD Derating Factor above 25°C TJ，T stg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Pag e 1 of 1 0 2 0 2 0 V0 1 PDF
Документация на CS240N06A8 

CS240N06%20A8[1]

Дата модификации: 26.02.2020

Размер: 406.1 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)