BLM2301

Pb Free Product BLM2301 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D The BLM2301 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S GENERAL FEATURES Schematic diagram ● VDS = -20V,ID = -3A RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=-2.5V RDS(ON) ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание P-Channel Trench MOSFET, SOT-23, -20 V, -3 A, 0,064 Ohm
Ёмкость затвора
  Особенности: High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на BLM2301 

BLM2301 V2.0

Дата модификации: 13.01.2012

Размер: 235.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.