BLM2301
Pb Free Product
BLM2301
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
DESCRIPTION
D
The BLM2301 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
G
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a
load switch or in PWM applications.
S
GENERAL FEATURES
Schematic diagram
● VDS = -20V,ID = -3A
RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=-2.5V
RDS(ON) ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: BLM2301
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | P-Channel Trench MOSFET, SOT-23, -20 V, -3 A, 0,064 Ohm | |
Ёмкость затвора | ||
Особенности: High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.