BL8N100-P
- Группа: FET транзисторы
- Серия: BL8N100
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220, 1000 V, 8 A, 1,1 Ohm | |
Ёмкость затвора | ||
Особенности: Fast Switching, Low Crss, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.