ES3J-B

Диод выпрямительный на напряжение до 600 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.7 В, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MURS360B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= EFMB380 (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= ES3JBG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= MURS360 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA
 
P= ES3J SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= ES3H SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 9000 шт
 
P= UF5406 (DC)
 
DO201 в ленте 500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
ES3A-B THRU ES3J-B 3.0 A Surface Mount Super Fast Rectifiers-50-600V Features Package outline The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 For surface mounted applications Super fast switching for high efficiency Low reverse leakage Built-in strain relief,ideal for automated placement High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds at terminals Glass passivated chip junction Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU Compliant to Halogen-free SMB/DO-214AA 0.155(3.94) 0.130(3.30) 0.086 (2.20) 0.071 (1.80) 0.183(4.65) 0.160(4.05) 0.012(0.305) 0.006(0.152) 0.096(2.45) 0.081(2.05) Mechanical data Case: JEDEC DO-214AA molded plastic body Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any 0.060(1.52) 0.008(0.203)MAX. 0.030(0.76) 0.219(5.56) 0.202(5.14) Dimensions in inches and (millimeters) Maximum ratings and Electrical Characteristics (AT T A=25 oC unless otherwise noted) Symbol MIN. TYP. MAX. UNIT Forward rectified current See Fig.1 IO 3.0 A Forward surge current 8.3ms single half sine-wave (JEDEC methode) I FSM 80 A PARAMETER CONDITIONS V R = V RRM T A = 25 OC Reverse current 5.0 IR O V R = V RRM T A = 100 C Thermal resistance Junction to ambient NOTE 1 R θJA 47 Diode junction capacitance f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage CJ 45 Storage temperature T STG *1 V RRM (V) V RMS*2 (V) *3 VR (V) ES3A-B 50 35 50 ES3B-B 100 70 100 SYMBOLS ES3C-B 150 105 150 ES3D-B 200 140 200 ES3E-B 300 210 300 ES3G-B 400 280 400 ES3J-B 600 420 600 *4 VF (V) *5 t rr (ns) Operating temperature T J, ( OC) μA 50 O pF O +150 -65 C/W C *1 Repetitive peak reverse voltage *2 RMS voltage 0.95 *3 Continuous reverse voltage 35 -55 to +150 *4 Maximum forward voltage@I F=3.0A 1.25 *5 Maximum Reverse recovery time, note 2 1.70 Note: 1.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas 2. Reverse recovery time test condition, I F =0.5A, I R =1.0A, I RR =0.25A http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482182 Page 1 Document ID Issued Date Revised Date Revision AS-3040010 2003/03/08 2022/08/16 E1 Page. 3 PDF
Документация на ES3J-B 

Author:

Дата модификации: 24.09.2014

Размер: 1.56 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.