BAT54WS

Диод выпрямительный на напряжение до 30 В, ток до 600 мА, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 10 пФ, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD323
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAT54WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
P= BAT54H (SHIKUES)
 
SOD323 1000 шт
 
P= SD106WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 20 шт
 
P= BAT54WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= LBAT54HT1G (LRC)
 
SOD323 в ленте 1000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= SD103AWS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= LBAT40HT1G (LRC)
 
SOD323
 
P= SD103AWS (ANBON)
 
SOD323
 
P= B0540WS (SHIKUES)
 
SOD323 1 шт
 
P= SD103AWS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.35A, 40V V(RRM), Silicon
P= BAT54S (JSCJ)
 

BAT54S (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BAT54 (YJ)
 

BAT54 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= SD103AWS (SHIKUES)
 
SOD323
 
P= BAT54WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT42WS (ANBON)
 
SOD323
 
P= BAT43WS (ANBON)
 

BAT43WS (DIODES)
SOD323
 
P= BAT54S (ANBON)
 

BAT54S (DIODES)
SOT-23-3
 
P= BAT42WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
P= BAT43WS (SHIKUES)
 

BAT43WS (DIODES)
SOD323
 
P= B0540WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= ESD3Z36C (ANBON)
 
SOD323
P= RB551V-30 (ANBON)
 
SOD323 1 шт
 
P= LMBR0540ET1G (LRC)
 
 
P= SD103AWSQ (YJ)
 
SOD323
 

Файлы 1

показать свернуть
BAT54WS 200mA Surface Mount Small Signal Schottky Diodes-30V Package outline Features SOD-323 • Low current rectification and high speed switching • Small surface mount type • Up to 200mA current capability • Low forward voltage drop (0.35V typ. @I F =10mA) Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction • High speed ( trr < 6 ns ) • Lead-free parts meet RoHS requirments • Compliant to Halogen-free Mechanical data • Epoxy:UL94-V0 rated flame retardant • Case : Molded plastic, SOD-323 • Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 • Polarity : Indicated by cathode band • Mounting Position : Any Dimensions in inches and (millimeters) Maximum ratings (AT T =25 C unless otherwise noted) o A PARAMETER CONDITIONS Symbol MIN. TYP. MAX. UNIT Repetitive peak reverse voltage V RRM 30 Reverse voltage VR 30 V Repetitive peak forward current I FRM 300 mA I FSM 600 mA IF 200 mA Non-repetitive peak forward current t < 1.0 s Forward current Power dissipation Mounted on FR-5 board at T A =25°C Thermal resistance Junction to ambient PD 200 R θJA Operating junction temperature range Storage temperature range V mW °C/W 635 TJ -55 +125 o C T STG -55 +125 o C Electrical characteristics (AT T =25 C unless otherwise noted) o A PARAMETER Forward voltage CONDITIONS Symbol I F = 0.1 mA VF I F = 1 mA VF I F = 10 mA VF I F = 30 mA VF MIN. TYP. MAX. UNIT 0.220 0.240 V 0.290 0.320 V 0.350 0.400 V 0.410 0.500 V I F = 100 mA VF 0.520 1.000 V Reverse current V R = 25 V IR 0.5 2.0 uA Total capacitance V R = 1 V, f = 1MHz CT 10.0 pF Reverse recovery time I F = I R = 10 mAdc, I R(REC) = 1.0 mAdc trr 6.0 ns http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482812 Page 1 Document ID Issued Date Revised Date AS-3160042 2003/03/08 2015/05/16 Revision D Page. 3 PDF
Документация на BAT54WS 

BAT54WS SOD-323

Дата модификации: 01.06.2018

Размер: 1.12 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.