AS1M080120T

Anbon
AS1M080120T N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID@25℃ 1200V 98mΩ@20V 36A Feature Application  High Blocking Voltage With Low On-Resistance  Power Supplies  High Speed Switching With Low Capacitance  Switch Mode Power Supplies  Easy to Parallel and Simple to Drive  High Voltage DC/DC Converters  Motor Drivers  Pulsed Power A...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJD2065100NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
AS1M080120T N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID@25℃ 1200V 98mΩ@20V 36A Feature Application  High Blocking Voltage With Low On-Resistance  Power Supplies  High Speed Switching With Low Capacitance  Switch Mode Power Supplies  Easy to Parallel and Simple to Drive  High Voltage DC/DC Converters  Motor Drivers  Pulsed Power Applications Package Marking Circuit diagram AS1M080120T XXXXX D TO-247-4 S2 S1 G Absolute maximum ratings (TC=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Test Condition Value Unit 1200 V Drain-Source Voltage VDSmax VGS = 0V, IDS =100µA Gate-Source Voltage VGSmax Absolute maximum values -10/+25 V Gate-Source Voltage VGSOP Recommended operational values -5/+20 V ID VGS = 20V,TC=25℃ 36 A ID VGS = 20V,TC=100℃ 24 A Pulsed Drain Current IDM Pule width tp limitea by Tjmax 80 A Power Dissipation PD TC=25℃,TJ=150℃ 192 W Continuous Drain Current Thermal Resistance RθJC Junction-to-Case 0.6 ℃/W Thermal Resistance RθJA Junction-to-Ambient 40 ℃/W Junction Temperature TJ -55 ~ +150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~ +150 ℃ Page 1 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. AS-3270006 2013/03/08 2021/06/18 B 6 PDF
Документация на AS1M080120T 

Microsoft Word - AS1M080120T

Дата модификации: 12.07.2022

Размер: 1.2 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    05 июня 2024
    новость

    Решения для зарядных станций (материалы вебинара)

    Популярность электротранспорта неуклонно растет. Следуя этому тренду, многие компании активно разрабатывают свои решения в этой области индустрии, в том числе для зарядных станций. По оценкам участников отрасли, к 2030 году в России в эксплуатацию... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)