AS1M080120T
AS1M080120T
N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS
RDS(on)MAX
ID@25℃
1200V
98mΩ@20V
36A
Feature
Application
High Blocking Voltage With Low On-Resistance
Power Supplies
High Speed Switching With Low Capacitance
Switch Mode Power Supplies
Easy to Parallel and Simple to Drive
High Voltage DC/DC Converters
Motor Drivers
Pulsed Power A...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2474
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2474 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | YJD2065100NCFGH (YJ) | TO2474 | в линейках 30 шт | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на AS1M080120T
Microsoft Word - AS1M080120T
Дата модификации: 12.07.2022
Размер: 1.2 Мб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.