AS1M060065P
AS1M060065P
N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS
RDS(on)MAX
ID@25℃
650V
78mΩ@20V
37A
Feature
Application
High Blocking Voltage With Low On-Resistance
Power Supplies
High Speed Switching With Low Capacitance
High Voltage DC/DC Converters
Easy to Parallel and Simple to Drive
Motor Drivers
Package
Marking
Circuit diagram
AS1M060065P
XX...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2473
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2473 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на AS1M060065P
Microsoft Word - AS1M060065P
Дата модификации: 12.07.2022
Размер: 973.9 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.