Новые MOSFET N100V производства SuncoYJ для высокомощных устройств 8 февраля Компания SuncoYJ объявила о выпуске новых МОП-транзисторов (MOSFET), выполненных по технологии SGT, которая позволяет уменьшить сопротивление открытого канала и расширить область безопасной работы (SOA), одновременно снизив входную емкость. Транзи... управление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиMOSFETSGT (Split Gate Trench)TO-247
SUNCOYJ представляет новые MOSFET семейства N60V 25 января Компания SUNCOYJ продолжает расширять ассортимент транзисторов, выполненных по технологии SGT, которая, в отличие от традиционной Trench MOS, обеспечивает MOSFET улучшенными характеристиками. Новые транзисторы (таблица 1) рассчитаны на напряжение ... управление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиMOSFETSGT (Split Gate Trench)компактный корпусSOA
Новая серия SGT MOSFET N150V – специальное решение для PoE от SUNCOYJ 10 августа 2023 Протокол Power over Ethernet (PoE), позволяющий сетевым устройствам с интерфейсом Ethernet передавать питание по витой паре, существует уже много лет. В 2018 году был утвержден новый стандарт IEEE 802.3bt, который использует все четыре пары кабеля... телекоммуникацииуправление питаниемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиMOSFETPoESGT (Split Gate Trench)IEEE802.3af/at/bt
Новинка от SUNCOYJ – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V 23 мая 2023 Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания SUNCOYJ предлагает новые N-канальные полевые транзисторы. Серии N80V-N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT (Split Gate Tren... управление питаниемуправление двигателемпотребительская электроникаSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиMOSFETSGT (Split Gate Trench)