YJQ55P02A
RoHS
YJQ55P02A
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS= -4.5V)
● RDS(ON)( at VGS= -2.5V)
● RDS(ON)( at VGS= -1.8V)
● 100% EAS Tested
-20V
-55A
<8.3mohm
<10.0mohm
<15.0mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
● Moisture ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: DFN83X3
- Норма упаковки: 5000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | DFN83X3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьПубликации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.