WMM161N15T2
WMM161N15T2
150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMM161N15T2 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
D
Features
⚫
G
S
VDS =150V, ID = 161A
TO-263
RDS(on) < 6mΩ @ VGS = 10V
⚫
High Speed Power Switching
⚫
Low RDS(ON)
⚫
Low Gate Charge
⚫
100% EAS ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO263
- Норма упаковки: 1 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO263 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMK161N15T2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | NCEP15T14LL (NCE) | — |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | |||
| A+ | CRST052N15N3Z (CRMICRO) | TO-220-3 |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMM161N15T2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 14.06.2022
Размер: 483.4 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.