EESX1106

Omron
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SX1106 ■ Dimensions ■ Features Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. • • • • Ultra-compact with a slot width of 3 mm. PCB mounting type. High resolution with a 0.4-mm-wide aperture. RoHS Compliant. ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Two, C0.7 Gate Item Optical axis 5.4 5 min. Emitter --- Reverse voltage VR 5V Collec...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Режим Выход Расстояние Особенности Монтаж Ток излучателя U out I out I cc U cc Корпус Кабель Индикация Спектр Регулировка Разъем T раб Примечания Карточка
товара
PA EE-SX1106 (OMRON)
 
250 шт Датчик положения оптический - Режим: просвет; Выход: фототранзистор; Расстояние: 3 мм; ...

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SX1106 ■ Dimensions ■ Features Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. • • • • Ultra-compact with a slot width of 3 mm. PCB mounting type. High resolution with a 0.4-mm-wide aperture. RoHS Compliant. ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Two, C0.7 Gate Item Optical axis 5.4 5 min. Emitter --- Reverse voltage VR 5V Collector–Emitter voltage VCEO 30 V Emitter–Collector voltage VECO 4.5 V Collector current IC 30 mA Collector dissipation PC 80 mW (see note 1) Ambient Operating temperature Storage Topr –25°C to 85°C Tstg –30°C to 85°C Soldering temperature Tsol 260°C (see note 2) Four, 0.2 Two, C0.2 Four, 0.5 Internal Circuit 0 dia 1−0.1 1.4 Terminal No. 0 −0.1 dia Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. Complete soldering within 3 seconds. Name A Anode K C E Cathode Collector Emitter Rated value 50 mA (see note 1) IF Pulse forward current IFP Detector Two, R1 Symbol Forward current ■ Ordering Information Unless otherwise specified, the tolerances are ±0.2 mm. Description Model Photomicrosensor (transmissive) EE-SX1106 ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Emitter Detector Symbol Value Condition Forward voltage VF 1.3 V typ., 1.6 V max. Reverse current IR 10 μA max. IF = 50 mA VR = 5 V Peak emission wavelength λP 950 nm typ. IF = 50 mA Light current IL 0.2 mA min. IF = 20 mA, VCE = 5 V Dark current ID 500 nA max. VCE = 10 V, 0 lx Leakage current ILEAK --- --- Collector–Emitter saturated voltage VCE (sat) 0.4 V max. IF = 20 mA, IL = 0.1 mA Peak spectral sensitivity wavelength λP 800 nm typ. VCE = 5 V Rising time tr 10 μs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IF = 20 mA Falling time tf 10 μs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IF = 20 mA Photomicrosensor (Transmissive) EE-SX1106 129 PDF
Документация на EESX1106 

EE_SX1106_1010.fm

Дата модификации: 16.11.2023

Размер: 282.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.