CJP50P06S

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP50P06S P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID -60V 25mΩ@-10V -50A TO-220-3L-C GENERAL DESCRIPTION The CJP50P06S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURE  Advanced trench pro...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJD4435

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2203L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJP30GP10A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
 — —
P- NCE60P25 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P- NCE60P82AD (NCE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 ± — — — —
P- IRF4905 (YOUTAI)
 

IRF4905 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- IRF5305 (YOUTAI)
 

IRF5305 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 800 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP50P06S P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID -60V 25mΩ@-10V -50A TO-220-3L-C GENERAL DESCRIPTION The CJP50P06S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURE  Advanced trench process technology  Reliable and rugged  High density cell design for ultra low On-Resistance 1 2 1 2 3 APPLICATION  Power management in notebook computer  Portable equipment and battery powered systems MARKING P50P06S XXXX 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE EQUIVALENT CIRCUIT P50P06S = Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device XXXX = Code 3 MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID ① -50 A Pulsed Drain Current IDM ② -200 A Single Pulsed Avalanche Energy EAS ③ 160 mJ PD ① 95 W ⑥ 62.5 ℃/W 1.31 ℃/W -55~+150 ℃ Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA Thermal Resistance from Junction to Case RθJC TJ ,Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com ① 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJP50P06S 

CJP50P06S_TO-220-3L-C_V 2.0

Дата модификации: 21.10.2021

Размер: 2.47 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 февраля 2024
    новость

    Транзисторы и MOSFET-сборки JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ

    Китайская компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) с 2018 года специализируется на исследованиях, разработках, выпуске и продаже полупроводников. Этот производитель поставляет на рынок качественные и надежные пластины и готовые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)