JMTP3010D
JMTP3010D
Description
JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Applications
Features
30V, 12A
RDS(ON) < 11.6mΩ @ VGS = 10V
Load Switch
PWM Application
Power Management
RDS(ON) < 18.7mΩ @ VGS = 4.5V
Advanced Trench Technology
100% UIS TESTED!
100% ΔVds TESTED!
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Lead Free
D1
G1
D2
G2
S1
SOP-8
S2
Schematic Diagram
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SO-8 SOIC8
- Норма упаковки: 4000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-8 SOIC8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.