JMTP3010D

JMTP3010D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features     30V, 12A RDS(ON) < 11.6mΩ @ VGS = 10V  Load Switch PWM Application  Power Management  RDS(ON) < 18.7mΩ @ VGS = 4.5V Advanced Trench Technology 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead Free D1 G1 D2 G2 S1 SOP-8 S2 Schematic Diagram ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.