Серия FET транзисторов UF640

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном)
	Диапазон номинальных напряжений затвора
	Максимальное напряжение затвора
	Заряд затвора
	Рассеиваемая мощность
	Ёмкость затвора

Документация на серию UF640

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF640 Power MOSFET 18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET  DESCRIPTION These kinds of n-channel power MOSFET field effect transistor have low conduction power loss, high input impedance, and high switching speed, Linear Transfer Characteristics, so can be use in a variety of power conversion applications. The UF640 suitable for resonant and PWM converter topologies.  FEATURES * RDS(ON) < 0.18Ω @ VGS=10V, ID=10A * Ultra Low gate charge (typical 43nC) * Low reverse transfer capacitance (CRSS = typical 100 pF) * Fast switching capability * Avalanche energy specified * Improved dv/dt capability, high ruggedness  SYMBOL www.unisonic.com.tw Copyright © 2016 Unisonic Technologies Co., Ltd 1 of 6 QW-R502-066.J

Документация на UF640L TO-252 T/R

Author:

Дата модификации: 30.12.2016

Размер: 304.3 Кб

6 стр.

найти UF640.pdf

Товары серии UF640

Наименование	i	Упаковка
UF640L TO-252 T/R (UTC)