Серия FET транзисторов LN2502

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Корпус	SOT233
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
	Диапазон номинальных напряжений затвора	±

Документация на серию LN2502

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LN2502LT1G S-LN2502LT1G 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V 3 RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A = 50mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 40mΩ 1 2 SOT– 23 (TO–236AB) Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 D G 1 2 S Ordering Information Device Marking LN2502LT1G S-LN2502LT1G LN2502LT3G S-LN2502LT3G Shipping N25 3000/Tape& Reel N25 10000/Tape& Reel Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-Source Voltage VDS 20 Gate-Source Voltage VGS ± 12 ID 4.2 IDM 33 TJ, Tstg -55 to 150 Continuous Drain Current Pulsed Drain Current 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Unit V A o C Note: 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by the maximum junction temperature Rev .A 1/3  PDF

Документация на LN2502LT1G 

MMN3400-D.xls

Дата модификации: 21.08.2012

Размер: 587.7 Кб

3 стр.

• найти LN2502.pdf

Товары серии LN2502