Серия биполярных транзисторов L2SA1576

Общие характеристики

	Раздел	Биполярный транзистор
	Тип проводимости и конфигурация
	Рассеиваемая мощность
	Напряжение КЭ максимальное
	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
	Ток коллектора
	Граничная рабочая частота
	Коэффициент усиления по току

Документация на серию L2SA1576

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L2SA1576AQT1G Series z We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ORDERING INFORMATION 3 Device Shipping Package L2SA1576AQLT1G Series SC-70 3000/Tape & Reel L2SA1576AQLT3G Series SC-70 10000/Tape & Reel 1 2 SC-70/SOT– 323 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage V CEO –50 V Collector–Base Voltage V CBO –60 V Emitter–Base Voltage V –6.0 V EBO 3 COLLECTOR 1 BASE Collector Current — Continuous IC –150 mAdc Collector power dissipation PC 0.15 W Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature T stg -55 ~+150 °C 2 EMITTER DEVICE MARKING L2SA1576AQT1G =FQ L2SA1576ART1G=FR L2SA1576AST1G =FS ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.) Characteristic Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = –1 mA) Emitter–Base Breakdown Voltage (IE = – 50 µA) Collector–Base Breakdown Voltage (IC = – 50 µA) Collector Cutoff Current (VCB = – 60 V) Emitter cutoff current (VEB = – 6 V) Collector-emitter saturation voltage (IC/ IB = – 50 mA / – 5m A) DC current transfer ratio (V CE = – 6 V, I C= –1mA) Transition frequency (V CE = – 12 V, I E= 2mA, f=30MHz ) Output capacitance (V CB = – 12 V, I E= 0A, f =1MHz ) Symbol Min Typ Max Unit V – 50 — — V V (BR)EBO –6 — — V V – 60 — — V I CBO — — – 0.1 µA I EBO — — – 0.1 µA V CE(sat) — — -0.5 V h FE 120 –– 560 –– fT — 140 –– MHz C ob — 4.0 5.0 pF (BR)CEO (BR)CBO h FE values are classified as follows: * hFE Q 120~270 R 180~390 S 270~560 Rev.O 1/4  PDF

Документация на L2SA1576ART1G 

Дата модификации: 22.08.2012

Размер: 114.9 Кб

4 стр.

• найти L2SA1576.pdf

Товары серии L2SA1576