Серия защитных диодов CJSMBJ

Общие характеристики

	Раздел	Защитные диоды
	Корпус	DO215AA
	Пиковая рассеиваемая мощность
	Рабочее напряжение
	Напряжение ограничения (диапазон)
	Максимальное импульсное напряжение
	Максимальный импульсный ток
	Тип супрессора по свойствам
	Количество линий ограничения

Документация на серию CJSMBJ

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SMBG Plastic-Encapsulate Diodes CJSMBJ SERIES Transient Voltage Suppressor Diodes Features ● PPP ● VRWM SMBG 600W 10V- 100V ● Glass passivated chip Applications ● Clamping Voltage Bi-directional Uni-directional Symbol Unit Conditions Max Peak pulse power dissipation PPPM W with a 10/1000us waveform 600 Peak pulse current(note 1) IPPM A with a 10/1000us waveform See Next Table PD W On infinite heat sink at TL=50℃ 5.0 Peak forward surge current IFSM A 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only (note 2) 100 Operating junction and storage temperature range TJ,TSTG ℃ Item Power dissipation -55 to +150 Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） Item Symbol Unit Maximum instantaneous forward Voltage VF V at 50A for uni-directional only 3.5 RθJL ℃/W junction to lead TL=50℃ 20 RθJA ℃/W junction to ambient TA=25℃ 100 Conditions Max Thermal resistance Notes: (1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA= 25℃per Fig.2 (2) 8.3ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minutes maximum www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0  PDF

Документация на серию CJSMBJ 

Subject:

Дата модификации: 02.04.2024

Размер: 1.83 Мб

5 стр.

• найти CJSMBJ.pdf

Товары серии CJSMBJ