Серия FET транзисторов BLM4407

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
	Диапазон номинальных напряжений затвора
	Максимальное напряжение затвора
	Заряд затвора
	Рассеиваемая мощность
	Ёмкость затвора
	Особенности: High power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery Switch, Load switch, Power management

Документация на серию BLM4407

Pb Free Product BLM4407 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D DESCRIPTION G The BLM4407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate S voltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -12A RDS(ON) < 25mΩ @ VGS=-4.5V RDS(ON) < 15mΩ @ VGS=-10V ● High Power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface Mount Package Marking and pin Assignment Application ●Battery Switch ●Load Switch ●Power Management SOP-8 top view Package Marking And Ordering Information Device Marking Ordering Codes Package Product Code Packing 4407 BLM4407 SOP-8 BLM4407 Reel Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current-Continuous Drain Current-Pulsed unless otherwise noted) Symbol VDS VGS ID (Note 1) IDM Maximum Power Dissipation(Tc=25℃) PD Maximum Power Dissipation(Tc=100℃) Single pulse avalanche energy (Note 2) Operating Junction and Storage Temperature Range Limit Unit -30 V ±20 V -12 A -48 A 3 1.3 W EAS 171 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 41 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient Page1 www.belling.com.cn V1.2  PDF

Документация на BLM4407 

BL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 03.04.2020

Размер: 718.3 Кб

7 стр.

• найти BLM4407.pdf

Товары серии BLM4407