Серия FET транзисторов BLM10P03
Общие характеристики
Раздел | FET транзисторы | |
Конфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Ёмкость затвора | ||
Особенности: High density cell design for lower Rdson, Excellent package for good heat dissipation, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Battery Protection |
Документация на серию BLM10P03
Документация на BLM10P03-D
BL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 03.04.2020
Размер: 2.4 Мб
12 стр.
Товары серии BLM10P03
Наименование | i | Упаковка | Iс(25°C) | Pрасс |
---|---|---|---|---|
BLM10P03-D (CN BELL) | 200 шт | |||
BLM10P03-E (CN BELL) | 20 шт | |||
BLM10P03-Q (CN BELL) | ||||
BLM10P03-R (CN BELL) |