Серия FET транзисторов BL6N120

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
	Диапазон номинальных напряжений затвора
	Максимальное напряжение затвора
	Заряд затвора
	Ёмкость затвора
	Особенности: Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply

Документация на серию BL6N120

BL6N120 Power MOSFET 1．Description Step-Down Converter BL6N120, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V DS@Tj.max 1300 V ID 6 A R DS(ON).Typ 2.3 Ω FEATURES  Fast Switching  Low Crss  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS product APPLICATIONS  High frequency switching mode power supply ORDERING INFORMATION Ordering Codes Package BL6N120-P TO-220 BL6N120-A TO-220F BL6N120-W TO-3PN BL6N120-K TO-3PF BL6N120-F TO-247 , Product Code Packing Tube Tube Tube Tube Tube 6N120 BL6N120-A XXXX：Product Code (2) Package type (1) Chip name (1)BL6N120:1200V 6A (2) A:TO-220F P:TO-220 W:TO-3PN K:TO-3PF F:TO-247 BL6N120 Rev 1.0 6/2019 XXXX YYWW ZZ SSSSS YYWW：Year&Week ZZ：Assembly Code SSSSS：Lot Code www.belling.com.cn Belling Proprietary Information. Unauthorized Photocopy and Duplication Prohibited ©2011 Belling All Rights Reserved 1/ 16  PDF

Документация на BL6N120-A 

DESCRIPTION Keywords:

Дата модификации: 24.03.2020

Размер: 1.15 Мб

16 стр.

• найти BL6N120.pdf

Товары серии BL6N120

Наименование	i	Упаковка	Pрасс
BL6N120-A (CN BELL)		в линейках 4 шт
BL6N120-F (CN BELL)
BL6N120-K (CN BELL)
BL6N120-P (CN BELL)
BL6N120-W (CN BELL)