Полупроводниковые компоненты азиатских брендов в автомобильных фарах
вчера
Современной тенденцией в автопромышленности является использование светодиодных фар в транспортных средствах. К их преимуществам можно отнести:
- малое энергопотребление, что особенно важно для электромобилей;
- большой срок службы;
- наличие дополнительных функций, например, возможности плавной регулировки светового потока.
Также следует упомянуть и эстетику: дизайнерам такие фары дают больше возможностей для творческого самовыражения.
Включение/выключение светодиодных фар, а также их диммирование осуществляются электронными устройствами (рисунок 1). КОМПЭЛ предлагает широкий выбор полупроводниковых компонентов азиатского производства, предназначенных для применения в автомобильной светотехнике. В качестве примера приведем продукцию китайской компании JSCJ.
Рис. 1. Блок-схема узла управления осветительными приборами современного автомобиля
MOSFET
MOSFET-транзисторы (в российской литературе они обычно называются «МОП-транзисторы») применяются для цепей коммутации. Кроме этого, на их основе изготавливают диммеры для фар.
Поскольку под фары в современном автомобиле выделяется небольшое пространство, тепловыделение устройств управления необходимо понизить. Для этого применяются транзисторы с малым временем переключения и низким сопротивлением канала в открытом состоянии.
Компания JSCJ предлагает MOSFET, выполненные по технологиям Trench (каналы N- и P-типов), а также SGT (канал N-типа). При этом SGT является дальнейшим развитием технологии Trench. Целесообразно использовать транзисторы с технологией Trench для коммутации, а SGT – в диммерах, работающих по принципу широтно-импульсной модуляции (таблица 1).
Таблица 1. MOSFET-транзисторы JSCJ для автомобильных фар
| Наименование | Тип | Технология | Напряжение VDS, В | Сопротивление перехода RDS(ON), мОм | Пороговое напряжение VGS(th), В | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AD-CJ2309A | Single-P | Trench | -60 | -1…-2,5 | 190 | SOT-23 |
| AD-CJ2310 | Single-P | Trench | 60 | 0,5…2 | 105 | SOT-23 |
| AD-CJAB35N03S | Single-P | Trench | 30 | 1,3…2,5 | 6,8 | PDFN3.3*3.3 |
| AD-CJAB35P03B | Single-P | Trench | -30 | -1…-2,5 | 14 | PDFN3.3*3.3 |
| AD-CJAB011SN06AL | Single-P | SGT | 60 | 1,1…2,5 | 11 | PDFN3.3*3.3 |
| AD-CJB3R2SN04AL | Single-P | SGT | 40 | 1,2…2,3 | 3,2 | PDFN3.3*3.3 |
| AD-CJAB3R2SN01CH | Single-P | SGT | 40 | 2,5…3,5 | 1,3 | PDFN5*6 |
| AD-CJAC9R0SN06AL | Single-P | SGT | 60 | 1,3…2,5 | 9 | PDFN5*6 |
Также в каталоге КОМПЭЛ доступен широкий выбор MOSFET для поверхностного монтажа с параметрическим поиском: FET-транзисторы.
Супрессоры (TVS)
Данные компоненты являются специализированными диодами, ограничивающими напряжение. Если оно превышает определенное значение, супрессор открывается и через него идет значительный ток.
Супрессоры способны ограничивать только кратковременные выбросы напряжения. Они применяются для защиты сигнальных цепей систем управления от действия помех со стороны силовых цепей, что особенно важно в электромобилях. Компания JSCJ предлагает для применения в транспортных средствах супрессоры на 24 и 28 В (таблица 2).
Таблица 2. TVS-диоды JSCJ для автомобильных фар
| Наименование | Пиковая мощность PPP, Вт | Обратное рабочее напряжение VRVM, В | Мин. напряжение срабатывания VBR(min), В | Макс. напряжение срабатывания VBR(max), В | Макс. напряжение ограничения VC, В | Макс. пиковый ток IPP, А | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AD-CJDTP6SMBJ28AC | 600 | 28 | 31,1 | 34,4 | 45,4 | 13,2 | SMBG |
| AD-CJDTP6SMBJ24AC | 600 | 24 | 26,7 | 29,5 | 38,9 | 15,4 | SMBG |
Компоненты для защиты от статического электричества (ESD)
Практически для любого транспортного средства актуальна проблема статического электричества. При этом MOSFET-транзисторы чувствительны к данному явлению настолько, что при определенных условиях могут выйти из строя.
Для предотвращения воздействия статического электричества на деликатную электронику применяются приборы ESD, которые также имеются в ассортименте JSCJ, например, AD-ESDBNC1524|1.
Переключающие диоды
Такие компоненты применяются в цепях управления фарами. Компания JSCJ выпускает диоды с максимальной рассеиваемой мощностью до 225 мВт (таблица 3). Напряжение на открытом диоде составляет 1,25 В, что больше обычного кремниевого диода. Тем самым снижается вероятность ложного открытия из-за помех.
Отличительной особенностью переключающих диодов JSCJ также является очень малый обратный ток, составляющий 0,1…1 мкА, в зависимости от типа.
Таблица 3. Переключающие диоды JSCJ для автомобильных фар
| Наименование | Рассеиваемая мощность Pd, мВт | Прямой ток IF, мА | Обратное напряжение VR, В | Прямое напряжение VF, В | Обратный ток утечки IR, мкА | Макс. время восстановления trr, нс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AD-1N4148WS | 200 | 150 | 100 | 1,25 | 1 | 4 | SOD-323 |
| AD-BAS16TW | 200 | 150 | 75 | 1,25 | 1 | 4 | SOT-363 |
| AD-BAS21 | 225 | 200 | 250 | 1,25 | 0,1 | 50 | SOT-23 |
Помимо этого, в каталоге КОМПЭЛ доступен широкий спектр переключающих диодов для поверхностного монтажа с параметрическим поиском: Выпрямительные диоды.
Цифровые транзисторы
Под этим термином скрываются биполярные N-P-N-транзисторы со встроенными 1…2 резисторами (таблица 4). Один включается в цепь базы, и к нему может быть добавлен еще один между базой и эмиттером.
Резисторы позволяют согласовать напряжение “единицы” на выходе цифровой микросхемы с напряжением открытия биполярного транзистора. В свою очередь, такой прибор управляет мощным MOSFET-транзистором.
Таблица 4. Цифровые транзисторы JSCJ для автомобильных фар
| Наименование | Тип/полярность | Рассеиваемая мощность Pc, мВт | Ток коллектора, Io, мА | Напряжение питания VCC, В | Выходное напряжение VO(On), В | Интегрированные резисторы | Корпус | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R1, кОм | R1, кОм | |||||||
| AD-DTC114EUA | N-P-N | 200 | 100 | 50 | 0,3 | >0 | >10 | SOT-323 |
| AD-DTC143EE | N-P-N | 150 | 100 | 50 | 0,3 | >4,7 | >4,7 | SOT-523 |
| AD-DTC124EUA | N-P-N | 200 | 100 | 50 | 0,3 | >22 | >22 | SOT-323 |
Эти и другие переключающие диоды для поверхностного монтажа с параметрическим поиском доступны на странице нашего каталога: Биполярные транзисторы.
Применение
В России полупроводниковые компоненты азиатских брендов могут использоваться не только для светодиодных автомобильных фар. Они также подходят для других связанных с освещением применений, требующих компактности и энергоэффективности.
Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) основана в 2018 году в китайском городе Нанкин как дочерняя структура известного контрактного изготовителя и тестировщика интегральных микросхем и дискретных полупроводников JCET.
Компания, входящая в десятку крупнейших производителей микроэлектроники Китая, выпускает более 15000 наименований полупроводниковой продукции: силовые дискретные изделия, а также стандартные микросхемы управления питанием, токового преобразования и выпрямления.
...читать далее
Наши информационные каналы