IRF7341TRPBF-VB
VBsemi Electronics Co.
IRF7341TRPBF-VB
www.VBsemi.com
IRF7341TRPBF-VB Datasheet
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
• TrenchFET® power MOSFET
• 100 % Rg and UIS tested
60
RDS(on) (Ω) at VGS = 10 V
0.028
0.030
RDS(on) (Ω) at VGS = 4.5 V
ID (A) per leg
7
Configuration
Dual
SO-8 Dual
D1
8
D1
7
D2
6
D2
5
D1
G1
Top View
2
1 G1
S1
D2
G2
4
3 G2
S2
S1
S2
N-Channe...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SO-8
- Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | AO4826 (YOUTAI) | — | в ленте 50 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | AO4828 (YOUTAI) | — | 1 шт | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.