IRF7341TRPBF-VB

VBsemi Electronics Co.
IRF7341TRPBF-VB www.VBsemi.com IRF7341TRPBF-VB Datasheet Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) • TrenchFET® power MOSFET • 100 % Rg and UIS tested 60 RDS(on) (Ω) at VGS = 10 V 0.028 0.030 RDS(on) (Ω) at VGS = 4.5 V ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D1 8 D1 7 D2 6 D2 5 D1 G1 Top View 2 1 G1 S1 D2 G2 4 3 G2 S2 S1 S2 N-Channe...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ AO4826 (YOUTAI)
 
в ленте 50 шт
 
A+ AO4828 (YOUTAI)
 
1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.