NCEP40T11K

NCEP40T11K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP40T11K uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and syn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ CJP140N04 (JSCJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ JMTC025N04D (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
A+ JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0401AG (JIEJIE)
 
 
A+ JMSH0403BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
 
A+ CJAC110SN04 (JSCJ)
 
 
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ JMTE025N04D (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP40T11K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP40T11K uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. General Features Schematic Diagram ● VDS =40V,ID =110A RDS(ON)=2.4mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=3.3mΩ (typical) @ VGS=4.5V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Marking and pin assignment Application ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! TO-252 -2L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP40T11K NCEP40T11K TO-252-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 110 A ID (100℃) 85 A Pulsed Drain Current IDM 440 A Maximum Power Dissipation PD 150 W 1 W/℃ EAS 500 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP40T11K 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 22.11.2022

Размер: 763.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.