1N5822

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 3 А, с падением напряжения 530 мВ, производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- 1N5822 (YJ)
 

1N5822 (ONS-FAIR)
DO201AD 1250 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- 1N5822 (DC)
 

1N5822 (ONS-FAIR)
DO201AD в ленте 500 шт
 
A- SR340 (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM)
A- SR540 (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SB540 (LRC)
 

SB540 (ONS-FAIR)
DO201AD 50 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD

Файлы 1

показать свернуть
1N5820 thru 1N5822 Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 40V Forward Current 3.0A Feature & Dimensions * Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 * Low power loss,high efficiency * For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling,and polarity protection applications * Guarding for overvoltage protection * High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds at terminals Mechanical Data Case: JEDEC DO-201AD, molded plastic over glass DIE Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any We declare that the material of product compliance Weight: 0.038oz., 1.03 g with ROHS requirements Handling precaution:None 1.Electrical Characteristic Maximum & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. VRRM 1N5820 1N5820 20 Maximum RMS voltage VRMS 14 21 28 V Maximum DC blocking voltage VDC 20 30 40 V Parameter Symbol device marking code Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5mm) lead length (See fig. 1) Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Typical thermal resistance (Note 1) Operating junction and storage temperature range symbol 1N5821 1N5821 30 1N5822 1N5822 40 Unit V IF(AV) 3.0 A IFSM 80 A RθJA 50 °C/W TJ, TSTG –40 to +125 °C Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A symbol 1N5820 1N5821 1N5822 Unit VF 0.475 0.500 0.53 V 2.0 Maximum DC reverse current TA = 25°C IR 20 at rated DC blocking voltage TA = 100°C 110 Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz CJ NOTES: 1. Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted mA PF PDF
Документация на 1N5822 

SKY.xls

Дата модификации: 28.09.2011

Размер: 200.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.