DB104S

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DBS Plastic-Encapsulate Bridge Rectifier DB101S THRU DB107S General P urpose Bridge Rectifier Features ●IF(AV) 1A ● VRRM 50V-1000V DBS ●High surge current capability ● Glass passivated chip Applications ●General purpose 1 phase Bridge rectifier applications Marking ● DB10XS X : From 01 To 7 Item Symbol Unit Conditions DB1 01S 02S...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P= DB104S (YJ)
 
— в ленте 1500 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1A, 400V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DBS Plastic-Encapsulate Bridge Rectifier DB101S THRU DB107S General P urpose Bridge Rectifier Features ●IF(AV) 1A ● VRRM 50V-1000V DBS ●High surge current capability ● Glass passivated chip Applications ●General purpose 1 phase Bridge rectifier applications Marking ● DB10XS X : From 01 To 7 Item Symbol Unit Conditions DB1 01S 02S 03S 04S 05S 06S 07S Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 Maximum RMS Voltage V RMS V 35 70 140 280 420 560 700 Average Rectified Output Current IO A Surge(Nonrepetitive)Forward Current IFSM A Current Squared Time Operation Junction and Storage Temperature Range I2t TJ,Tstg Ta=25℃ 60Hz sine wave, R-load ,Ta=25℃ On glass-epoxi substrate 60HZ half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ A2S 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode 800 1000 1.0 30 3.7 -55 ~+150 ℃ Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） Item Symbol Unit Test Condition Max Peak Forward Voltage VFM V IFM=0.5A, Pulse measurement, Rating of per diode 1.05 Peak Reverse Current IRRM μA VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode 10 Between junction and ambient, On glass-epoxi substrate 68 Between junction and lead 15 RθJ-A Thermal Resistance ℃/W RθJ-L www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на DB101S 

Subject:

Дата модификации: 08.05.2020

Размер: 899.3 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    ABS10 (YJ)