1SS226

JSCJ
Диод выпрямительный 2, последовательно на напряжение до 80 В, ток до 100 мА, с падением напряжения 1.2 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes 1SS226 SWITCHING DIODE SOT-23 FEATURES z Low forward voltage z Fast reverse recovery time z Small total capacitance 1 MARKING: C3 3 2 C3 C3 Solid dot = Green molding compound device,if none,the normal device. Maximum Ratings ,Single Diode @Ta=25℃ Symbol Parameter Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM Limit Unit 85 V 80 V DC Blocking Voltage VR Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 100 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2 A Power Dissipation PD 150 mW RθJA 833 ℃/W TJ,TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse breakdown voltage Reverse voltage leakage current Forward voltage Symbol Test V(BR) IR= 100uA conditions = VR 80V IR VF = IF 100mA Min Max 80 Unit V 0.5 uA 1.2 V Diode capacitance CD VR= 0V, f= 1MHz 3 pF Reverse recovery time t rr IF=10mA 4 ns www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 1SS226 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.05.2020

Размер: 1.16 Мб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Plastic-Encapsulate Diodes SOT-23 SOT-23 1SS226 SWITCHING DIODE FEATURES z Low forward voltage z Fast reverse recovery time z Small total capacitance 1 3 2 MARKING: C3 Maximum Ratings ,Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit 85 Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM V 80 V DC Blocking Voltage VR Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 100 mA Peak Forward Surge Current @t=10ms 2 IFSM A Power Dissipation PD 150 mW Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse breakdown voltage Symbol Test V(BR) IR= 100uA conditions Min Max 80 Unit V Reverse voltage leakage current IR VR=80V 0.5 uA Forward voltage VF IF=100mA 1.2 V Diode capacitance CD VR=0V , f=1MHz 3 pF Reverse recovery time t rr IF=10mA 4 ns A,Jun,2011 PDF
Документация на 1SS226 

Microsoft Word - 1SS226_SOT-23_.doc

Дата модификации: 07.06.2011

Размер: 1.4 Мб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)