Новые SJ и SGT MOSFET SUNCOYJ для построения эффективных инверторов

23 ноября 2023

Возобновляемые источники электроэнергии и устройства ее хранения в условиях постоянного растущего энергопотребления играют очень важную роль. Для использования энергии, генерируемой солнечными панелями, применяется инвертор – устройство, преобразующее постоянный ток фотоэлементов в переменный и соответствующее стандартам бытовой или промышленной сети (рисунок 1). Эффективность инверторов, а значит и всей энергосистемы, зависит от применяемых компонентов, в частности, транзисторных силовых ключей.

Компания SUNCOYJ, являющаяся одним из ведущих разработчиков и производителей полупроводниковых компонентов в КНР, объявила о выпуске новых транзисторов – N-канальных MOSFET (таблица 1), которые можно использовать для выходного инвертора и микроинвертора солнечной панели.

Рис. 1. Схема преобразования солнечной энергии инвертором

Характеристики и преимущества новых MOSFET производства SUNCOYJ:

• тип проводимости – N;
• конфигурация корпусов обеспечивает эффективный отвод тепла;
• малое сопротивление открытого канала;
• способность работы с индуктивной нагрузкой (UIS, Unclamped Inductive Switching);
• диапазон рабочих температур кристалла -55…150°C;
• класс огнестойкости корпуса UL 94 V-0.
• соответствие RoHS;
• транзисторы с максимальным напряжением «сток-исток» 800 В выполнены по технологии Super Junction High Voltage в корпусе TO-263 (рисунок 2а);
• транзисторы с максимальным напряжением «сток-исток» 150 В выполнены по технологии Split Gate Trench в корпусе PDFN5060 (рисунок 2б).

Рис. 2. Внешний вид корпусов TO-263 (а) и PDFN5060-8L (б)

Таблица 1. Характеристики новых MOSFET производства компании SUNCOYJ