Новые IGBT SUNCOYJ для солнечных батарей и накопителей энергии

21 сентября 2023

учёт ресурсов управление питанием автоматизация ответственные применения SUNCOYJ новость IGBT TO-247 высокочастотное применение

Компания SUNCOYJ выпустила три новых продукта (таблица 1): IGBT в корпусах TO-247 и TO-247 Plus с интегрированным диодом. Транзисторы предназначены для работы в высокочастотных приложениях, таких как зарядные устройства, накопители энергии, солнечные электростанции и различные импульсные преобразователи. Выполненные по технологии Trench-FS, транзисторы обладают лучшим балансом между блокирующей способностью и напряжением насыщения, а также рядом других особенностей:

стандартный форм-фактор корпуса: TO-247 и TO-247 Plus (рисунок 1);
напряжение «коллектор-эмиттер»: 1200 В;
ток коллектора: 40 или 75 A;
максимальная температура перехода: 175°C;
интегрированный встречно-параллельный диод с «мягким» восстановлением;
малые напряжение насыщения и потери при переключениях для повышения КПД и экономичности приложений;
соответствие стандартам RoHS.

Рис. 1. Внешний вид и назначение выводов новых транзисторов в корпусах TO-247 и TO-247 Plus

Таблица 1. Новые транзисторы (IGBT) компании SUNCOYJ

Наименование	Напряжение пробоя (V_CE), В	Ток, А, при температуре корпуса (Tс) 100°C		Напряжение насыщения, (V_CEsat) при Tj = 25°C, В	Энергия выключения (E_off), мДж при Tj = 25°C	Корпус
Наименование	Напряжение пробоя (V_CE), В	коллектора (I_C)	диода (I_F)	Напряжение насыщения, (V_CEsat) при Tj = 25°C, В	Энергия выключения (E_off), мДж при Tj = 25°C	Корпус
DGW40N120CTH1A	1200	40	40	1,85	1,38	TO247
DGQ40N120CTH1A	1200	40	40	1,85	1,38	TO247 Plus
DGQ75N120CTH1B	1200	75	75	2,10	2,2	TO247 Plus

•••

Новые IGBT SUNCOYJ для солнечных батарей и накопителей энергии

Наши информационные каналы

О компании SUNCOYJ