Эффективный и надежный сервопривод на базе компонентов JSCJ
31 июля 2023
Станки с ЧПУ, полиграфическое, упаковочное, текстильное и другое оборудование, автоматические производственные линии и роботы, управление лазерным инструментом и медицинская техника – эти и многие другие приложения требовательны к точности процесса, эффективности и надежности работы сервоприводов и систем их управления (рисунок 1).
Компания Jiangsu Changjing Technology (JSCJ), являющаяся одним из лидеров в КНР по производству полупроводниковых компонентов, представляет решения для ключей драйверов (таблица 1), управления питанием и его преобразованием (таблица 2), а также для обеспечения защиты от электростатических разрядов модуля управления сервоприводом (таблица 3).
Рис. 1. Сервопривод и блок-схема его управления
Таблица 1. Параметры MOSFET, выпускаемых компанией JSCJ
| Наименование | Напряжение, В | Ток, А | Номинальное сопротивление перехода Rdson, мОм, при VGS = | Параметры затвора | Корпус | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Пороговое напряжение VGS(TH), В | Заряд Qg, нКл | Входная емкость Ciss, пФ | ||||||
| 10 В | 4,5 В | |||||||
| CJAC65SN10L | 100 | 65 | 11,0 | 15,5 | 1,0…2,5 | 23,0 | 1285 | PDFNWB5x6-8L |
| CJAC80SN10 | 100 | 80 | 6,2 | 8,8 | 1,0…2,5 | 46,0 | 2200 | |
| CJAC100SN08U | 80 | 80 | 3,0 | – | 2,0…4,0 | 60,0 | 3780 | PDFNWB5x6-8L-B |
| CJAC110SN10L | 100 | 110 | 4,3 | 6,0 | 1,5…2,5 | 78,0 | 3366 | PDFNWB5x6-8L |
| CJAC110SN10H | 100 | 110 | 4,5 | – | 2,0…4,0 | 71,0 | 3067 | |
| CJAC130SN04L | 40 | 130 | 2,0 | 2,9 | 1,0…2,0 | 47,7 | 2620 | |
| CJAC130SN06L | 60 | 130 | 2,6 | 3,5 | 1,0…2,5 | 66,4 | 3560 | |
| CJU60SN08 | 80 | 60 | 6,3 | – | 2,0…4,0 | 47,8 | 3300 | TO-252-2L |
| CJU80SN10 | 100 | 80 | 6,2 | 8,8 | 1,3…2,5 | 50,0 | 2100 | |
Таблица 2. Параметры регуляторов напряжения от компании JSCJ
| Наименование | Напряжение, В | Ток, А | Падение напряжения, В (при токе, мА) | Коэффициент подавления нестабильности питания при 1 кГц, дБ | Корпус | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Входное, диапазон или максимальное | Выходное | Рабочий, А | Потребления в состоянии покоя, мА | ||||
| CJ6330 | 2,5…18,0 | 1,2…5,0 | 0,3 | 0,002 | 0,160 (100) | 65 | SOT-89-3L SOT-23-3L SOT-23-5L TO-92 |
| CJ6335 | -0,3…18,0 | 1,2…5,0 | 0,1 | 0,0025 | 0,1 (1) | 30 | SOT-89-3L SOT-23-3L SOT-23-5L |
| CJ6376 | 2,5…36,0 | 1,2…12 | 0,3 | 0,002 | 0,2 (100) | 70 | SOT-23-3L SOT-23-5L SOT-223 |
| CJ6385 | 3…40 | 2,8…9,0 | 0,2 | 0,002 | 0,4 (50) | 55 | SOT-89-3L SOT-23-3L SOT-23-5L SOT-223 TO-92 |
| 1117x | 15 | 1,2…5,0 | 1 | 2 | 1,3 (1000) | 60 | SOT-89-3L SOT-223 TO-252-2L |
| CJ78xx | 35 | 5…12 | 1,5 | 4,3…8,0 | 2 (1000) | – | TO-220-3L TO-220F TO-251-3L TO-251S TO-252-2L TO-263-2L |
Таблица 3. Параметры защитных диодов ESD и их сборок производства JSCJ
| Наименование | Пиковая мощность VR, Вт | Напряжение пробоя, В | Ток утечки, мкА | Емкость перехода, пФ | Напряжение фиксации, В | Пиковый импульсный ток, А | Корпус | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Макс. | |||||||
| Рабочее напряжение 3,3 В | ||||||||
| ESDBUC3V3AE1 | 52 | 4,8 | – | 0,1 | 0,25 | 13 | 4 | DFNWB0 6×0 3-2L-B |
| ESDBU3V3AE1 | 24 | 7 | – | 0,1 | 0,4 | 6 | 4 | DFNWB0 6×0 3-2L |
| ESDBU3V3A1 | 24 | 7 | – | 0,1 | 0,4 | 6 | 4 | DFNWB1 0X0 6-02L |
| ESDBKV3V3D3 | 1120 | 4,2 | 5,8 | 5 | 4,3 | 40 | 28 | SOD-323 |
| ESDU3V3AG4 | 80 | 4 | – | 1 | 0,45 | 12 | 4 | DFNWB2 5×1-10L |
| Рабочее напряжение 5,0 В | ||||||||
| ESDBU5V0AE1C | 50 | 5,6 | – | 1 | 0,35 | 10 | 5 | DFNWB0 6×0 3-2L |
| ESDSU5V0A1 | 80 | 6,5 | 9 | 0,5 | 0,24 | 20 | 4 | DFNWB1 0X0 6-2L |
| ESDTU5V0A1 | 45 | 6 | – | 0,1 | 0,45 | 10,5 | 4 | DFNWB1006-2L |
| ESDBL5V0A1 | 40 | 5,8 | 8,3 | 0,1 | 12 | 12 | 4 | |
| ESDU5V0AG4B | 50 | 6 | – | 1 | 0,8 | 15 | 1 | DFNWB2 5×1-10L |
| ESDTU5V0AG4B | 100 | 6 | – | 0,5 | 0,45 | 13,5 | 5 | |
| ESDVD5V0H4 | 240 | 5,8 | 10 | 5 | 2 | 20 | 12 | SOT-23-6L |
| ESDBKV5V0D3 | 750 | 6 | 8 | 1 | 2 | 27 | 30 | SOD-323 |
| CESD5V0D3 | 170 | 6,2 | 7,3 | 10 | 150 | 13 | 13 | |
| CESDLC5V0K5 | 33 | 6,2 | 7,2 | 1 | 10 | 13 | 2,5 | SOT-363 |
| CESD5V0K5 | 60 | 6,0 | 7,2 | 5 | 30 | 12 | 5 | |
| CESD5V0M5 | 60 | 6,0 | 7,2 | 5 | 30 | 12 | 5 | SOT-563 |
| CESDLC5V0M5 | 33 | 6,2 | 7,2 | 1 | 10 | 13 | 2,5 | |
Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) основана в 2018 году в китайском городе Нанкин как дочерняя структура известного контрактного изготовителя и тестировщика интегральных микросхем и дискретных полупроводников JCET.
Компания, входящая в десятку крупнейших производителей микроэлектроники Китая, выпускает более 15000 наименований полупроводниковой продукции: силовые дискретные изделия, а также стандартные микросхемы управления питанием, токового преобразования и выпрямления.
...читать далее
Наши информационные каналы